大功率器件相关论文
功率半导体器件在电子行业中提供了电能转换和电路控制等功能，在近年来起着越来越关键的作用。随着功率器件朝着高频快速响应、高集......
针对宇航电子设备大功率器件的散热路径进行了分析。对顶部散热的器件采用高导热石墨板、精确控制导热垫压缩量、增加导热路径等方......
论述了空空导弹毫米波导引头的主要技术特点及其在工程应用中存在的若干问题。着重讨论了空空导弹毫米波导引头较红外和微波导引头......
硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延......
SiC单晶具有良好的物理和机械性能,广泛用于大功率器件和IC行业,但由于材料高的硬度和脆性,使其加工过程成为难点.本文就切割过程......
从生产应用角度,对模块电源工艺技术(电气装配、密封加固)的研究和应用做了详细的阐述。
From the perspective of production an......
某野外工作设备,内部安装了大功率器件,而工作环境温度较高,为保证内部元器件和设备的热可靠性,热分析和热控制必不可少,热设计的......
随着电子产品朝高集成度、小型化的方向发展,电子产品中的芯片所需要承受的电流密度越来越高,导致芯片的发热量随之增加,其服役温......
半导体发光二极管具有节能、环保、寿命长、尺寸小等优点，被认为是取代传统光源的下一代照明技术。然而在半导体照明产业化的过程中......
虽然IC技术和工艺有了很大发展,但在集成大功率器件方面仍有一些局限性,电感、电容等储能元件也难以集成,还有一些高精密的电阻在......
飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案,覆盖了主要的蜂窝基础设施频段,这两款解决方案均采用小巧的封装,却......
脊加载螺旋槽行波管是一类新型毫米波大功率器件 ,给出了此结构中引入电子注后的“热”色散方程 ,并利用“牛顿”下山法求解了此复......
氮化镓是制造蓝光或紫外光器件以及大功率器件最有发展前途的半导体材料之一．浅杂质（包括Ｐ型和ｎ型的）离子注入ＧａＮ是研究 ＧａＮ的主要课题之一．本......
技术领域rn本发明属于电子封装材料,特别涉及微电子金属封装中的铁封微晶玻璃.rn电子元器件金属外壳广泛使用金属-玻璃封接技术,其......
介绍了半导体制冷技术在大功率器件散热方面的实验研究成果,并对未来半导体制冷技术的应用进行了展望。半导体制冷又称为热电制冷......
微电子焊料是电子产品组装过程中不可或缺的重要组成部分,它能够将器件的各部分有效地连接在一起。随着5G时代的到来,电子技术向着......
自1990年代以来,出现了以GaN,ZnO和SiC为代表的新一代宽带隙半导体材料。这些材料在紫外光电探测器,大功率器件,短波长发光二极管......
Mathematical Model of Fiber Optic Temperature Sensor Based on Optic Absorption and Experiment Testin
On the basis of analysis on the temperature monitoring methods for high voltage devices, a new type of fiber optic senso......
飞思卡尔半导体目前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案，覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段。这两款解决方案均采用小巧的封......
本文依据某型行波管功放在散热功率大、低噪音和高热流密度等方面的要求开展了相关强迫风冷设计，重点解决了有限空间下大功率、高热......
吉时利仪器公司近日为大功率器件的参数曲线分析应用推出了7种解决方案，适用于高达3,000V和100A的大功率器件特性分析。这7种配置包......
英飞凌科技（中国）有限公司（以下简称＂英飞凌＂）和阳光电源股份有限公司（以下简称＂阳光电源＂）在安徽省合肥市举行盛大庆典,庆祝英飞凌以十万片P......
引言大功率器件、模块或超大规模集成电路在工作过程中有较大的损耗，产生大量的热量使器件或模块的温度升高，若不采取冷却措施，器件的......
古时利将晶体管图示仪的量程和简化性与参数分析仪的精度和灵活性结合起来，针对大功率器件的参数曲线分析应用推出7种解决方案，这7种......
CZ硅晶片中的旋涡缺陷在器件制造的热循环过程中 ,会转化成体内杆状层错 ,且易集结在发射结对应下方的基区和集电结附近 ,从而导致......
为了提高IGBT器件性能，根据相关资料和针对器件的重要特性参数，本文介绍和评估各类或称各代IGBT器件结构的变革和参数的优化，以及为其......
电压与电流传感器的响应特性对准确测量高速电力电子器件的功率损耗至为关键。本文通过建立传感器的传递函数模型 ,具体分析了其响......
随着LED器件的功率不断上升，能否处理好LED产品的发热问题成为衡量产品质量和技术水平的一个重要指导性项目，如果散热方式不够科学高......
<正>南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构,通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等,......
介绍了一种新型大功率电器开关元件IGCT的工作原理，并阐述了其使用特点，指出了该器件在矿山企业的应用前景。......
大功率管在整机装配、调试及运行过程中常出现一些质量问题.质量缺陷的产生与器件本身质量和设计选型有关.为解决这些问题,我们对......
<正>历史上东芝在中国因家电闻名,上世纪八十年代的中国电视上最经典的东芝广告"Toshiba,Toshiba,新时代的东芝"几乎家喻户晓,东芝......
期刊
【正】军用电子设备中正越来越多地使用诸如雷达阵列、能量武器和高性能计算机这样的高密度、大功率系统,并且经常运行在高温环境......
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)作为第三代半导体的典型器件,在微波大功率方面表现出了优异的性能。已经初步在第四代移动通讯和雷......
文章提出了一种对大功率器件微放电检测的新方法,理论分析了这种方法的有效性,并对目前的微放电检测方法进行了分析,以表明这种新......
随着电力电子技术的发展,电力电子装置对大功率输出的要求越来越高,对半导体功率器件的电流能力和电压能力提出了新的要求。在设计......
