大功率器件相关论文
介绍了紫外LED的应用和市场,分析了紫外LED的技术趋势.采用氮化铝板和铜板设计了大功率紫外LED的封装结构,并对模组的工作特性进行......
功率半导体器件在电子行业中提供了电能转换和电路控制等功能，在近年来起着越来越关键的作用。随着功率器件朝着高频快速响应、高集......
英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称“英飞凌”)和阳光电源股份有限公司(以下简称“阳光电源”)近期在安徽省合肥市举行盛大庆典,......
针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺，对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管（ＧＴＲ）的三重扩散工艺进行了模拟......
继Conexant、Infineon及On Semiconductor之后,又一家半导体公司从母公司独立出来!这回是Harris Semiconductor,它脱离Harris成为......
本文介绍了大功率器件在可再生能源领域的应用,并给出了部分新的设计方案。
This article describes the application of high-po......
1.IGBT管的特点绝缘栅双极型晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor,缩写IGBT)是一种集BJT的大电流密度和MOSFET电压激励场控......
在高纯半绝缘(HPSI)衬底上外延生长了SiC材料,自主开发了SiC MESFET器件制作工艺,实现了单胞栅宽27 mm芯片的制作。优化了芯片装配......
1.IGBT的特性绝缘双栅极晶体管(lusulated Gate Bipolar Transistor,IGBT),是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件......
速调管因具有输出功率大、效率高、成本低、工作稳定可靠的优点,在微波发射系统中占据着重要的地位[1]。当大功率速调管工作时,占......
本文讨论了X射线探伤在高频大功率晶体管热性能分析中的应用。通过实验证明,在大功率器件的管壳结构设计及工艺质量,管芯片烧结等......
针对宇航电子设备大功率器件的散热路径进行了分析。对顶部散热的器件采用高导热石墨板、精确控制导热垫压缩量、增加导热路径等方......
半导体硅必须具有掺杂合金在晶体范围内分布的高度均匀性,一方面,这是仪表制造工艺进步的必要条件(例如,在电气工业中已经面临创......
仪器的检修步骤是一项科学的工作方法,具有严格的次序性,按此步骤进行工作则速度快、效率高。具体说明如下: 一、情况调查 在着手......
今年以来,山东半导体总厂在搞好国内销售的同时,积极开拓国际市场,现已完成产品出口交货值660多万元,成了我省半导体器件的出口大......
北京市新技术产业试验区的金星超声波应用技术研究所最近完成了VMOS大功率管超声波发生器及VMOS超声波清洗机。。其超声波功率从1......
随着电力电子技术的发展,具有高可靠性、高灵活性和小型化的专用功率模块(ASPM)倍受用户青睐。在ASPM制造中,全自动粗丝超声压焊......
回顾气体激光器的发展史,初期的器件常用热阴极,之后逐渐广泛采用冷阴极。近几年来发展的新型横向激励高气压激光器(TEA器件)采用......
理论和实验研究均表明,回旋管是回旋谐振脉泽中最有效的大功率器件。作振荡器时,其效率达50％,作功率放大器时,效率已达70％。在波长为......
功率转换器的功率密度越来越高,发热问题越来越严重,这种功率转换器的设计对现代大功率半导体技术提出了新的挑战;因而,热问题的优......
一、引言大功率用的 GaAs 肖特基势垒栅场效应晶体管最近的进展引人注目,这就是在6～12千兆赫频段5～1瓦级的器件已经实现了产品化。......
微波功率晶体管近几年来的发展速度保持着迅速的步子。以5瓦连续输出功率晶体管为例,1962年频率为0.25千兆赫,1964年为0.5千兆赫,......
一、引言 七十年代以来,由于大功率器件和半导体微波器件的发展,毫米波技术得到了迅速的进展。它被广泛应用于军事雷达、导弹的制......
文中描述了国外大功率超高频器件的现状。综合分析了国外在发展大功率器件方面获得的成就之后指出:行波管和多腔速调管是具有优良......
硅单晶的中子嬗变掺杂(NTD),是硅原子俘获热中子发生(n,r)反应而实现嬗变掺磷的.这一核反应过程是~(30)Si(n,r)~(31)Si→~(31)P+......
垂直结型栅场效应晶体管是一种新型大功率器件。它们显示不同于一般场效应晶体管而类似于三极管的特性。本文应用二维数值分析研究......
过去三十年来,直拉法和悬浮区熔法一直支配着硅材料的生产,因为悬浮区熔并不与任何物质接触(生长室的气氛除外),因此比直拉锭条更......
引言在1943年11月1日,R.康普夫纳博士用实验说明了第一个行波管放大器。他相当直观地选择了一个螺旋线射频(RF)慢波电路,当时对该......
作者对GD406、SP937、PH、CDP-1、SU-2等表面保护材料进行了对比实验.本文介绍了实验结果,并给予评价.
The author made a compar......
高压大功率器件,在开关稳压电路、驱动电路、电机调速、汽车点火器和彩色电视机偏转电路中应用十分广泛.随着科学技术的进步,电路......
一、材料特性、应用及要求从半导体工艺发展的初期开始,GaAs就已成为一种引人注目的材料了。它与Ge、Si等元素半导体材料相比具有......
本文针对VD-MOSFET击穿电压,采用场限环终端结构的耐压设计,并进行了综合分析。在解析式中,提出了η的近似表示式。通过与计算机二......
硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延......
自从８０年代金刚石薄膜的低压化学汽相淀积获得成功以来，人们对用金刚石薄膜制作高温、高速和大功率器件产生了浓厚的兴趣，因为金刚石的......
引言 纵向功率器件正被用在一种新型的大功率控制集成电路方面这些纵向器件比起用在线性技术中的传统的平面器件提供了很大的改进......
由于无显影气相光刻（ＤＦＶＰ）具有分辨率高、针孔密度低、光刻流程短、设备简单、成本低等优点，因此将其应用于晶闸管元件的生产具有非常重要......
本文描述了一种具有台阶电极结构和TiN扩散阻挡层的高可靠微波硅功率晶体管。将这种用于高频大功率器件的结构与传统的平面结构进......
第三代半导体材料GaN由于其优良性质,使其在光电子、高温大功率器件、高频微波器件、抗辐射和高密度集成的电子器件领域有良好......
近两年,美国生产的ST—M2929(P)—TC20型大屏幕彩电,已开始进入我国家电市场。由于其线路设计及元器件的选用与常见机型有一定差......
SiC单晶具有良好的物理和机械性能,广泛用于大功率器件和IC行业,但由于材料高的硬度和脆性,使其加工过程成为难点.本文就切割过程......
